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H01S5/026;H01S5/20;the waveguide is buried in an InP current blocking layer.In this configuration,
Planar InAlAs-APD 降低K-InGaAs/Si APD 采用Si材料做倍增 K<0.1 0.026V/Gain-2013-10-12 InP APD 分类 InP/
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10701TN4 公开 1017122053 题(中、英文)目 InP HBT 器件大信号模型研究 Research InPHBT Large signal
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